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삼성전자, ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 출하

저전력 특성 공정에 차세대 내장 메모리 기술 접목… 파운드리 리더십 강화
디램의 빠른 속도와 플래시의 비휘발성 장점 결합
기존 eFlash 대비 1000배 빠른 메모리 쓰기 속도 구현

2019.03.08 09:55:20
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